Message
Изображение №
© 2020-2025 МСЦ РАН
Воробьев Александр Акимович Центры окраски в щелочногалоидных кристаллах. Кн. 2. – 1968. – 390
Глава I. Способы получения центров окраски
§ 1-1. Введение
§ 2-1. О способах получения центров окраски в кристаллах
§ 3-1. Аддитивное окрашивание ионных кристаллов в парах металла
§ 4-1. Модель F-центра
§ 5-1. Образование центров окраски при облучении кристаллов рентгеновскими лучами
§ 6-1. Образование F-центров при ультрафиолетовом облучении
§ 7-1. Образование центров окраски в результате электронных процессов в кристаллах
§ 8-1. Поглощение в ультрафиолетовой области спектра кристаллами и пленками твердых растворов щелочногалоидных соединений
§ 9-1. Частицы коллоидального металла в кристаллах
§ 10-1. Образование дырочных центров в кристаллах
Глава II. Центры окраски
§ 1 -2. α- и β-пики поглощения в щелочногалоидных кристаллах
§ 2-2. Изменение оптических свойств кристаллов после облучения нейтронами
§ 3-2. Теории F-центра и F-полосы поглощения
§ 4-2. Возбужденные F*-центры
§ 5-2. F'-центр
§ 6-2. Перемещение F-центров в электрическом поле
§ 7-2. Сложные электронные центры
§ 8-2. Применение метода электронного парамагнитного резонанса для изучения дефектов в решетке щелочногалоидных кристаллов
§ 9-2. Спектры поглощения в монокристаллах твердых растворов после их облучения
§ 10-2. Дырочные центры, образованные с участием самозахваченных дырок
§ 11-2. Соотношения между оптическим положением максимумов полос поглощения и другими характеристиками кубических кристаллов
Глава III. Кинетика накопления центров окраски в кристаллах
§ 1-3. Влияние пластической деформации на поглощение в F-пoлосе
§ 2-3. Влияние пластической деформации кристалла на кинетику накопления центров окраски
§ 3-3. Зависимость от температуры спектрального положения и формы F-полосы поглощения
§ 4-3. Влияние предварительного окрашивания и обесцвечивания кристаллов на кинетику накопления центров окраски
§ 5-3. Влияние примесей на кинетику накопления и устойчивость центров окраски в кристаллах
§ 6-3. Распределение центров окраски по кристаллу
§ 7-3. Кинетика накопления центров окраски при комнатной температуре
§ 8-3. Окрашивание образцов, прессованных из порошков щелочногалоидных солей
§ 9-3. Образование дефектов решетки при облучении кристаллов в области очень низких температур
§ 10-3. Накопление радиационных дефектов и центров окраски в кристаллах LiF
§ 11-3. Общие замечания об образовании и накоплении радиационных дефектов
Глава IV. Устойчивость и разрушение центров окраски в кристаллах
§ 1-4. Оптическое разрушение центров окраски
§ 2-4. Кинетика температурного разрушения центров окраски
§ 3-4. Некоторые результаты исследования термического и фотохимического преобразования центров окраски
§ 4-4. Зависимость скорости накопления окраски и равновесной концентрации центров от температуры кристалла при облучении
§ 5-4. Устойчивость окраски и химический состав кристаллов
§ 6-4. Устойчивость F-центров и запасенная энергия
§ 7-4. Устойчивость α- и F-центров в твердых растворах
Глава V. Примесные центры
§ 1-5. U-полосы поглощения и U-центры
§ 2-5. Переходы U--><-- F
§ 3-5. Устойчивость F-центров в кристаллах, содержащих U-центры
§ 4-5. Инфракрасные спектры кристаллов с U-центрами
§ 5-5. Примесные Fa - и Z-центры и соответствующие им полосы поглощения
§ 6-5. Термический отжиг радиационных нарушений
§ 7-5. Заключение